23K640-I/P, SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-bit 8K x 8 25ns 8-Pin PDIP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001020016
- Артикул
- 23K640-I/P
- Бренд
- Microchip Technology
- HTS
- 8542.32.00.41
- RoHS
- Details
- Type
- Synchronous
- Brand
- Microchip Technology
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Минимальный заказ: 180 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IC, SRAM, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ, 64 Кбит/с, 2,7 В, PDIP8, Объем памяти:64 Кбит/с, Конфигурация памяти SRAM: 8 Кбит/с x 8 бит, Диапазон напряжения питания: от 2,7 В до 3,6 В, Тип корпуса памяти: DIP, Количество контактов:8 контактов, Время доступа:-, Минимальная рабочая температура: -40°C, Рабочий, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| HTS | 8542.32.00.41 |
| RoHS | Details |
| Type | Synchronous |
| Brand | Microchip Technology |
| Type: | Synchronous |
| Brand: | Microchip Technology |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | 23K640 |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Interface | Serial, 4-Wire, SDI, SPI |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 8 |
| Data Rate: | SDR |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.16 |
| Серия | 23K |
| Memory Size | 64 kbit |
| Memory Type | SDR |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Timing Type | Synchronous |
| Access Time: | 25 ns |
| Manufacturer | Microchip |
| Memory Size: | 64 kbit |
| Memory Type: | SDR |
| Organization | 8 k x 8 |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Manufacturer: | Microchip |
| Organization: | 8 k x 8 |
| Package Width | 6.35 |
| Product Type: | SRAM |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | PDIP-8 |
| Package Height | 3.3 |
| Package Length | 9.27 |
| Interface Type: | SPI |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words | 8K |
| Package / Case: | PDIP-8 |
| Number of Ports: | 1 |
| Product Category | SRAM |
| Supplier Package | PDIP |
| Product Category: | SRAM |
| Chip Density (bit) | 64K |
| Тип памяти | SRAM |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity | 60 |
| Max. Access Time (ns) | 25 |
| Standard Package Name | DIP |
| Supply Current - Max: | 10 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Data Rate Architecture | SDR |
| Operating Current (mA) | 10 |
| Address Bus Width (bit) | 16 |
| Maximum Clock Frequency | 20 MHz |
| Maximum Clock Frequency: | 20 MHz |
| Maximum Clock Rate (MHz) | 20 |
| Maximum Operating Current | 10 mA |
| Number of Bits/Word (bit) | 8 |
| Размер Памяти | 64Кбит |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 3.6 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 2.7 |
| Typical Operating Supply Voltage (V) | 3.3 |
| Напряжение питания, В | 3.3 |
| Конфигурация Памяти SRAM | 8К x 8бит |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 60 |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.7В до 3.6В |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | DIP |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальная тактовая частота (скорость) | 25нс |