1SS367,H3F, 10V 500mV@100mA 100mA SOD-323 Schottky Barrier Diodes (SBD)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062868441
- Артикул
- 1SS367,H3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- Schottky Diodes
- Вес, г
- 0.04
- Серия
- 1SS367
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные барьерные диоды Шоттки Toshiba Малосигнальные барьерные диоды Шоттки выпускаются в различныx корпусаx, с различным напряжением и номинальным током, что позволяет удовлетворить различные требования к конструкции. Диапазон напряжений составляет от 10 В до 60 В, а номинальный ток - от 0,05 А до 2 А. Малогабаритные сигнальные барьерные диоды Шоттки Toshiba отличаются высокой скоростью переключения и низким током утечки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Product: | Schottky Diodes |
| Вес, г | 0.04 |
| Серия | 1SS367 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | SOD-323 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOD-323-2 |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current | 100mA |
| Peak Reverse Voltage | 10V |
| Reverse Voltage (Vr) | 10V |
| Vf - Forward Voltage | 500mV @ 100mA |
| If - Forward Current: | 100 mA |
| Ir - Reverse Current: | 20 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 350 mV |
| Vr - Reverse Voltage: | 10 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Voltage (Vf@If) | 500mV@100mA |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 20uA@10V |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 1 A |
| Average Rectified Current (Io) | 100mA |
| Maximum Operating Temperature: | +100 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 15 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 20 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.5 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 10 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 0.1 |