1N916, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1 В, 4 нс, 4 А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050086280
- Артикул
- 1N916
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Small Signal Switching Diode
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- 1N916
- Product:
- Switching Diodes
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type: | Small Signal Switching Diode |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | 1N916 |
| Product: | Switching Diodes |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 0.113 |
| Серия | 1N916 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | DO-35 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Configuration: | Single |
| Recovery Time: | 4 ns |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | DO-35 |
| Product Category: | Diodes-General Purpose, Power, Switching |
| Max Surge Current: | 4 A |
| If - Forward Current: | 300 mA |
| Ir - Reverse Current: | 5 uA |
| Peak Reverse Voltage: | 100 V |
| Vf - Forward Voltage: | 1 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 100 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -65…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 5 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 100 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 0.2 |