1N5822RLG, Schottky Diodes & Rectifiers 3A 40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368149
- Артикул
- 1N5822RLG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.10.00.80
- Type
- Schottky Diode
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Diameter
- 5.3(Max)
Цена по запросу
(от 70,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: выпрямительный Шоттки, THT, 40В, 3А, DO201AD, Ufmax: 0,525В Характеристики Категория Диод Тип выпрямительный Монтаж THT Ток прямой макс., А 3 Обратное напряжение макс., В 40 Корпус DO27
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Type | Schottky Diode |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Diameter | 5.3(Max) |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Diode Type | Schottky |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.1 |
| Серия | 1N582хх |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | DO-201AD |
| Корпус | DO-201AD/DO-27 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Length | 9.5(Max) |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Supplier Package | DO-201AD |
| Diode Configuration | Single |
| Standard Package Name | DO-201-AD |
| Peak Forward Voltage (V) | 0.95@9.4A |
| Peak Reverse Current (uA) | 2000 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 40 |
| Maximum RMS Reverse Voltage (V) | 28 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 40V |
| Maximum Continuous Forward Current | 3A |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 40 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 80 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 3 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 80A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -65…+125 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 28°C/W |
| Обратный ток утечки, мкА | 2000 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.525 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 40 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 3 |