1N5822-E3/54, (Шоттки 40В 3А), Диод Шоттки 40В 3А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008581723
- Артикул
- 1N5822-E3/54
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Type
- Schottky Diode
- Тип
- Schottky Barrier Rectifier
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 36 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод Шоттки 40В 3А
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Schottky Diode |
| Тип | Schottky Barrier Rectifier |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Diameter | 5.3(Max) |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 11.34 |
| Длина | 9.5 mm |
| Серия | 1N582хх |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Высота | 5.3 mm |
| Корпус | DO-201AD |
| Ширина | 5.3 mm |
| Configuration | Single |
| Продукт | Schottky Diodes |
| Supplier Package | DO-201AD |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | DO-201-AD |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип выводов | Axial |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 3 A |
| Peak Forward Voltage (V) | 0.95 9.4A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Peak Reverse Current (uA) | 2000 |
| Supplier Temperature Grade | Commercial |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | Vishay General Semiconductor |
| Упаковка / блок | DO-201AD-2 |
| Ir - обратный ток | 2000 uA |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 40 |
| Maximum RMS Reverse Voltage (V) | 28 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 40 |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 80 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 3 |
| Vf - прямое напряжение | 0.95 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 80 A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -65…+125 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 40 C/W(Typ) |
| Обратный ток утечки, мкА | 2000 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Другие названия товара № | 1N5822-E3/73 |
| Размер фабричной упаковки | 1400 |
| Диапазон рабочих температур | 65 C to + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.525 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 40 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 40 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 3 |