Моя заявка (0)

1N5821G, (Шоттки 30В 3А), Диод Шоттки 30В 3А

1N5821G, (Шоттки 30В 3А), Диод Шоттки 30В 3А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8979683405
Артикул
1N5821G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
DO219AD
Diameter
5.3mm
Mounting
Through Hole
Rev Curr
2000(uA)
Цена по запросу
(от 14,33 ₽)
Минимальный заказ: 27 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диод Шоттки 30В 3А

Технические параметры

CaseDO219AD
Diameter5.3mm
MountingThrough Hole
Rev Curr2000(uA)
PackagingTape and Reel
Pin Count2
Diode TypeSchottky
Вес, г1.5
Серия1N582хх
Load current3A
ManufacturerONSEMI
Package TypeDO-201AD
Rad HardenedNo
КорпусDO-201AD
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Type of diodeSchottky rectifying
Rectifier TypeSchottky Rectifier
Forward Current3000(mA)
Forward Voltage0.9(V)
Diode TechnologySchottky Barrier
Peak Rep Rev Volt30(V)
Diode ConfigurationSingle
Max. forward voltage0.9V
Operating Temp Range-65C to 125C
Peak Forward Voltage0.9(V)
Peak Reverse Current2000(uA)
Max. off-state voltage30V
Avg. Forward Curr (Max)3
Maximum Forward Current3000(mA)
Semiconductor structuresingle diode
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Max. forward impulse current80A
Peak Reverse Repetitive Voltage30V
Peak Non-Repetitive Surge Current80(A)
Maximum Continuous Forward Current3A
Конфигурация диодаОдиночный
Operating Temperature ClassificationMilitary
Peak Non-Repetitive Surge Current (Max)80
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current80A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C-65…+125
Обратный ток утечки, мкА2000
Материал полупроводникаКремний
Максимальное прямое напряжение ,В0.5
Максимальное обратное напряжение (В)30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)3

Техническая документация