1N5820G, Schottky Diodes & Rectifiers 3A 20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005368145
- Артикул
- 1N5820G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- Schottky Diode
- Version
- schottky rectifier diode
- Assembly
- THT
Цена по запросу
(от 76,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В этом полупроводниковом силовом выпрямителе Шоттки используется принцип барьера Шоттки с использованием металлического барьера для создания наилучшего обмена между прямым падением напряжения и обратным током.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Schottky Diode |
| Version | schottky rectifier diode |
| Assembly | THT |
| Diameter | 5.3(Max) |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | DO-201AD |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Diode Type | Schottky |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.152 |
| Серия | 1N582хх |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | DO-201AD |
| Корпус | DO-201AD/DO-27 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Forward Current | 3 A |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Number of diodes | 1 |
| Supplier Package | DO-201AD |
| Diode Configuration | Single |
| Standard Package Name | DO-201-AD |
| Peak Forward Voltage (V) | 0.85@9.4A |
| Peak Reverse Current (uA) | 2000 |
| max. operating temperature | 125 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Junction temperature (max.) | 125 °C |
| Junction temperature (min.) | -65 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Maximum Forward Voltage Drop | 850mV |
| Surge blocking voltage V RMS | 20 V |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 20 |
| Maximum RMS Reverse Voltage (V) | 14 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 20V |
| Maximum Continuous Forward Current | 3A |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 20 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Voltage V RRM (peak reverse voltage) | 20 V |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 80 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 3 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 80A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -65…+125 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 28°C/W |
| Обратный ток утечки, мкА | 2000 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.475 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 20 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 3 |