1N5817G, Диод Шотки Axial Lead-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062376713
- Артикул
- 1N5817G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- Schottky Diode
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 2.7 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ДИОД ШОТТКИ, 1A, 20 В, 95-10; Максимальное повторяющееся обратное напряжение Vrrm:20 В; Прямой ток If(AV):1 А; Конфигурация диода: Одиночный; Тип корпуса диода: DO-41 (DO-204AL); Количество контактов: 2 контакта; Максимальное прямое напряжение VF: 450 мВ; Прямой Максимальный ток перенапряжения Ifsm: 25A; Максимальная рабочая температура: 125°C; Ассортимент продукции: Серия 1N5817; Автомобильный квалификационный стандарт: -; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Максимальное напряжение пробоя: 20 В; Ток Ifsm: 25A; Максимальный Ик-ток: 1000 мкА; Тип диода: Шоттки; Прямое напряжение: 450 мВ; Максимальная температура переxода Tj: 125°C; Минимальная рабочая температура: -65°C; Диапазон рабочиx температур: от -65°C до +125°C; Полупроводниковая теxнология: Si; Тип соединения: Осевое свинцовое
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | Schottky Diode |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 2.7 mm |
| Height | 2.7 mm |
| Length | 5.2 mm |
| Series | 1N5817 |
| Product | Schottky Rectifiers |
| Diameter | 2.7mm |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | Schottky |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.010935 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | CASE 59-10 |
| Корпус | DO-41 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | DO-41 |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Product Category | Schottky Diodes Rectifiers |
| Termination Style | Through Hole |
| Diode Configuration | Single |
| If - Forward Current | 1 A |
| Ir - Reverse Current | 1000 uA |
| Vf - Forward Voltage | 0.75 V at 3 A |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature Range | -65 C to+125 C |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current | 25 A |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 20V |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 20 V |
| Maximum Continuous Forward Current | 1A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 25A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | от-65 до+125 |
| Обратный ток утечки, мкА | 1000 |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 0.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 20 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 1 |