1N5408G, Si-Rectifier 1000V 3A DO201AD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009019942
- Артикул
- 1N5408G
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Speed
- Standard Recovery >500ns, > 200mA(Io)
- Technology
- Standard
- Вес, г
- 1.39
- Корпус
- DO-201AD(DO27)
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 1000 В 3А со сквозным отверстием DO-201AD
Технические параметры
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA(Io) |
| Technology | Standard |
| Вес, г | 1.39 |
| Корпус | DO-201AD(DO27) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Емкость, пФ | 30 |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура PN-прехода (°С) | -55…+150 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 1000 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 3 |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА) | 5 |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В) | 1.1 |