Моя заявка (0)

1N5406G, Диод: импульсный, THT, 600В, 3А, Ifsm: 200А, DD27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА

1N5406G, Диод: импульсный, THT, 600В, 3А, Ifsm: 200А, DD27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062376683
Артикул
1N5406G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
Switching Diode
EU RoHS
Compliant with Exemption
Diameter
5.3(Max)
Цена по запросу
(от 54,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод: импульсный, THT, 600В, 3А, Ifsm: 200А, DD27, Ufmax: 1В, Ir: 50мкА Характеристики Категория Диод Тип выпрямительный Монтаж THT Корпус DO201

Технические параметры

PPAPNo
TypeSwitching Diode
EU RoHSCompliant with Exemption
Diameter5.3(Max)
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingBox
Pin Count2
AutomotiveNo
Diode TypeRectifier
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1.12
PCB changed2
Part StatusActive
Package TypeDO-201AD
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Rectifier TypeGeneral Purpose
Diode TechnologySilicon Junction
Supplier PackageDO-201AD
Diode ConfigurationSingle
Standard Package NameDO-201-AD
Peak Forward Voltage (V)1
Peak Reverse Current (uA)10
Number of Elements per Chip1
Maximum Forward Voltage Drop1V
Maximum DC Reverse Voltage (V)600
Peak Reverse Repetitive Voltage600V
Maximum Continuous Forward Current3A
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)600
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)200
Maximum Continuous Forward Current (A)3
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current200A
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance53 C/W(Typ)

Техническая документация