1N4448HLP-7, Diode Small Signal Switching 80V 0.3A 2-Pin X1-DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001039938
- Артикул
- 1N4448HLP-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- Small Signal Switching Diode
- Тип
- Switching Diode
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: импульсный, SMD, 80В, 300мА, 4нс, DFN2, Ufmax: 1В, бобина, лента Характеристики Категория Диод Тип импульсный
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | Small Signal Switching Diode |
| Тип | Switching Diode |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | 1N4448 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.47 mm |
| Корпус | X1-DFN |
| Ширина | 0.6 mm |
| Configuration | Single |
| Продукт | Switching Diodes |
| Supplier Package | X1-DFN |
| If - Forward Current | 125mA |
| Peak Reverse Voltage | 80V |
| Vf - Forward Voltage | 1V @ 100mA |
| Емкость, пФ | 4 |
| Standard Package Name | DFN |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| If - прямой ток | 125 mA |
| Peak Forward Voltage (V) | 1.25 0.15A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Peak Reverse Current (uA) | 0.1 |
| Trr - Reverse Recovery Time | 4ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN-2 |
| Ir - обратный ток | 50 uA |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 80 |
| Maximum Diode Capacitance (pF) | 3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Maximum RMS Reverse Voltage (V) | 57 |
| Peak Reverse Recovery Time (ns) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 80 |
| Категория продукта | Диоды - общего назначения, управление питанием, ко |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 2 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 0.3 |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Время восстановления | 4 ns |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 500 C/W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Максимальный ток перегрузки | 2 A |
| Пиковое обратное напряжение | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Рабочая температура PN-прехода (°С) | -65…+175 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 80 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 0.3 |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА) | 5 |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В) | 1 |