Моя заявка (0)

1N4448 A0, Small Signal Switching Diodes 100V, 0.15A, Switching Diode & Array

1N4448 A0, Small Signal Switching Diodes 100V, 0.15A, Switching Diode & Array

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046292825
Артикул
1N4448 A0
Бренд
Taiwan Semiconductor
Case
DO35
Diameter
2.28mm
Mounting
THT
Pin Count
2
Цена по запросу
(от 8,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Диод: импульсный, THT, 100В, 0,15А, Ammo Pack, Ifsm: 2А, DO35, 500мВт Характеристики Категория Диод Тип импульсный Монтаж THT Ток прямой макс., А 0.15 Корпус DO35

Технические параметры

CaseDO35
Diameter2.28mm
MountingTHT
Pin Count2
Diode TypeFast Switching Diode
Вес, г0.12
Capacitance4pF
Load current0.15A
ManufacturerTAIWAN SEMICONDUCTOR
Package TypeDO-35
КорпусDO-35
Mounting TypeThrough Hole
Type of diodeswitching
Rectifier TypeGeneral Purpose
Kind of packageAmmo Pack
Diode TechnologySilicon Junction
Max. load current0.45A
Power dissipation0.5W
Diode ConfigurationSingle
Max. forward voltage1V
Емкость, пФ4
Reverse recovery time4ns
Max. off-state voltage100V
Semiconductor structuresingle diode
Peak Reverse Recovery Time4ns
Number of Elements per Chip1
Max. forward impulse current2A
Maximum Forward Voltage Drop1V
Peak Reverse Repetitive Voltage100V
Maximum Continuous Forward Current150mA
Конфигурация диодаОдиночный
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current2A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура PN-прехода (°С)-65…+175
Максимальное постоянное обратное напряжение, В100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А)0.15
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА)5
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В)1

Техническая документация