1N4448 A0, Диод: импульсный, THT, 100В, 0,15А, Ammo Pack, Ifsm: 2А, DO35, 500мВт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002636993
- Артикул
- 1N4448 A0
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Case
- DO35
- Diameter
- 2.28mm
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 2
Цена по запросу
(от 32,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: импульсный, THT, 100В, 0,15А, Ammo Pack, Ifsm: 2А, DO35, 500мВт Характеристики Категория Диод Тип импульсный Монтаж THT Ток прямой макс., А 0.15 Корпус DO35
Технические параметры
| Case | DO35 |
| Diameter | 2.28mm |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | Fast Switching Diode |
| Вес, г | 0.12 |
| Capacitance | 4pF |
| Load current | 0.15A |
| Manufacturer | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Package Type | DO-35 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Type of diode | switching |
| Rectifier Type | General Purpose |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Max. load current | 0.45A |
| Power dissipation | 0.5W |
| Diode Configuration | Single |
| Max. forward voltage | 1V |
| Reverse recovery time | 4ns |
| Max. off-state voltage | 100V |
| Semiconductor structure | single diode |
| Peak Reverse Recovery Time | 4ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Max. forward impulse current | 2A |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 100V |
| Maximum Continuous Forward Current | 150mA |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 2A |