1N4007GP-AQ, Диод: выпрямительный; THT; 1кВ; 1А; Ammo Pack; Ifsm: 27А; DO41
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010486221
- Артикул
- 1N4007GP-AQ
- Бренд
- Diotec Semiconductor
- Case
- DO41
- Type:
- Standard Recovery Rectifiers
- Brand:
- Diotec Semiconductor
- Series:
- 1N400X
Цена по запросу
(от 14,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартный выпрямительный диод, 1N4007GP-AQ, Diotec Стандартный восстановительный выпрямительный диод Особенности Соединение с пассивированным стеклом Соответствует требованиям RoHS Приложения Сетевое выпрямление частотой 50/60 Гц Источники питания Защита от переполюсовки Специальный класс
Технические параметры
| Case | DO41 |
| Type: | Standard Recovery Rectifiers |
| Brand: | Diotec Semiconductor |
| Series: | 1N400X |
| Version | AEC-Q101 qualified |
| Assembly | THT |
| Mounting | THT |
| Product: | Rectifiers |
| Enclosure | DO-41 |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Tradename: | 1N4007GP-AQ |
| Вес, г | 0.29 |
| Application | automotive industry |
| Load current | 1A |
| Manufacturer | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| Product type | rectifier diode |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | DO-41/DO-204AL |
| Manufacturer: | Diotec Semiconductor |
| Product Type: | Rectifiers |
| Type of diode | rectifying |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Recovery Time: | 1.5 us |
| Forward Current | 1 A |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Leakage current | 50µA |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | DO-41 |
| Number of diodes | 1 |
| Max. load current | 5.4A |
| Product Category: | Rectifiers |
| Max Surge Current: | 27 A |
| Max. forward voltage | 1.1V |
| Емкость, пФ | 15 |
| If - Forward Current: | 1 A |
| Ir - Reverse Current: | 5 uA |
| Reverse recovery time | 1.5µs |
| Vf - Forward Voltage: | 1.1 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1 kV |
| Max. off-state voltage | 1kV |
| Rated blocking voltage | 800 V |
| Semiconductor structure | single diode |
| max. operating temperature | 175 °C |
| min. operating temperature | -50 °C |
| Junction temperature (max.) | 175 °C |
| Junction temperature (min.) | -55 °C |
| Max. forward impulse current | 30A |
| Surge blocking voltage V RMS | 1000 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Voltage V RRM (peak reverse voltage) | 1000 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Рабочая температура PN-прехода (°С) | -65…+175 |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 1000 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 1 |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА) | 10 |