Моя заявка (0)
1EDN8511BXUSA1, Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004722957
Артикул
1EDN8511BXUSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Low-Side
Brand:
Infineon Technologies
Series:
1EDN
Product:
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Цена по запросу
(от 90,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxемы драйвера шлюза 1EDN751x/1EDN851x EiceDRIVER™ Микросxемы драйвера затвора Infineon 1EDN751x/1EDN851x EiceDRIVER™ - это быстрые, точные, надежные 1-канальные микросxемы драйвера затвора 4/8 А с низким энергопотреблением, предназначенные для поддержки МОП-транзисторов стандартного уровня, высокоскоростныx МОП-транзисторов с суперпереxодом, а также устройств питания IGBT и GaN.

Технические параметры

Type:Low-Side
Brand:Infineon Technologies
Series:1EDN
Product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
Fall Time4.5ns
Pin Count6
Shutdown:No Shutdown
Fall Time:4.5 ns
Logic TypeCMOS
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6.5 ns
Tradename:EiceDRIVER
Вес, г0.2
Logic Type:CMOS, TTL
Technology:Si
Package TypePG-SOT23-6-2
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Manufacturer:Infineon
Product Type:Gate Drivers
Configuration:Inverting, Non-Inverting
Output Current8 A
Supply Voltage4.2V
Mounting Style:SMD/SMT
Output Current:8 A
Package / Case:SOT-23-6-2
Part # Aliases:1EDN8511B SP001891284
IC Case / PackageSOT-23
Product Category:Gate Drivers
Ток стока8А
Number of Drivers:1 Driver
Number of Outputs:1 Output
Moisture Sensitive:Yes
Ток истока4А
Supply Voltage - Max:20 V
Supply Voltage - Min:4.5 V
Propagation Delay - Max:25 ns
Operating Supply Current:400 uA
Maximum Turn-On Delay Time:25 ns
Maximum Turn-Off Delay Time:25 ns
Задержка Выхода19нс
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Задержка по Входу19нс
Линейка ПродукцииEiceDRIVER 1EDN
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество Каналов1канал(-ов)
Конфигурация ПриводаНизкая Сторона
Стиль Корпуса ПриводаSOT-23
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Тип переключателя питанияGaN HEMT, IGBT, MOSFET
Минимальное Напряжение Питания4.5В
Максимальное Напряжение Питания20В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация