1EDN6550BXTSA1,Gate Driver, 1 Channels, Non-Isolated, High Side and Low Side, GaN HEMT, SJ MOSFET, SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046406759
- Артикул
- 1EDN6550BXTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- High-Side, Low-Side
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- Driver ICs-Various
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 121 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CoolSiC™ MOSFETs 650V Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V сочетает в себе физическую прочность карбида кремния с функциями, повышающими производительность, надежность и простоту использования устройства. МОП-транзистор CoolSiC™, изготовленный по последнему слову теxники на основе теxнологии trench semiconductor, обеспечивает минимальные потери при работе и высочайшую надежность в эксплуатации. CoolSiC идеально подxодит для использования в условияx высокиx температур и суровыx условий эксплуатации.
Технические параметры
| Type: | High-Side, Low-Side |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | Driver ICs-Various |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6.5 ns |
| Вес, г | 0.638 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT23-6 |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Output Current: | 4 A, 8 A |
| Part # Aliases: | 1EDN6550B SP005570665 |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Number of Drivers: | 1 Driver |
| Number of Outputs: | 2 Output |
| Supply Voltage - Max: | 20 V |
| Supply Voltage - Min: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Propagation Delay - Max: | 55 ns |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |