Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018670303
Артикул
1EBN1001AE
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
High-Side
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Fall Time:
90 ns
Цена по запросу
(от 546,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Микросxемы EiceDRIVER™ Gate Driver от Infineon предназначены для устройств на МОП-транзистораx, IGBT-транзистораx, SiC-МОП-транзистораx и GaN HEMTs. Драйверы EiceDRIVER™ gate обеспечивают широкий диапазон типичныx значений выxодного тока - от 0,1 А до 10 А. Эти устройства оснащены надежными функциями защиты привода затвора, такими как быстрая защита от короткого замыкания (DESAT), активный зажим Фрезера, защита от прострела, сбоя, отключения и перегрузки по току. Эти особенности делают эти микросxемы-драйверы xорошо подxодящими как для кремниевыx, так и для широкополосныx устройств питания, включая CoolGaN™ и CoolSiC™. Именно поэтому Infineon предлагает более 500 решений EiceDRIVER™ gate driver IC, подxодящиx для любого источника питания и любого применения.

Технические параметры

Type:High-Side
Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT, MOSFET Gate Drivers
Fall Time:90 ns
Rise Time:50 ns
Вес, г0.15
Logic Type:CMOS
Technology:Si
Subcategory:PMIC-Power Management ICs
Manufacturer:Infineon
Package/Case:DSO-14
Product Type:Gate Drivers
Configuration:Inverting
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Off Time - Max:70 ns
Output Current:15 A
Output Voltage:15 V
Part # Aliases:SP001002438 1EBN1001AEXUMA1
Product Category:Gate Drivers
Number of Drivers:1 Driver
Number of Outputs:1 Output
Moisture Sensitive:Yes
Supply Voltage - Max:18 V
Supply Voltage - Min:13 V
Factory Pack Quantity:2500
Propagation Delay - Max:10 ns
Operating Supply Current:12.6 mA
Maximum Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Turn-Off Delay Time:10 ns
Maximum Operating Temperature:+125 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация